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Si4104DY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
8
V GS = 10 V thr u 8 V
7 V
1.5
1.2
0.9
0.6
T C = 25 °C
6 V
T C = 125 °C
4
0
5 V
0.3
0.0
T C = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
0.20
0.17
0.14
0.11
0.0 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 8 V
V GS = 10 V
600
4 8 0
360
240
120
C iss
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C oss
0.05
0
C rss
0
6
12
1 8
24
30
0
20
40
60
8 0
100
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
2.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 5 A
V DS = 30 V
2.0
I D = 5 A
V GS = 10 V
V DS = 50 V
1.7
6
V DS = 70 V
V GS = 8 V
1.4
4
1.1
2
0
0. 8
0.5
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69936
S09-0764-Rev. B, 04-May-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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